เซ็นเซอร์อินฟราเรดที่ตรวจจับคลื่นสั้นอินฟราเรด (SWIR) ไม่เพียงแต่สามารถระบุวัตถุได้อย่างชัดเจนทั้งในเวลากลางวันและกลางคืน แต่ยังคงรักษาภาพที่คมชัดแม้ในสภาพแวดล้อมที่มีหมอกหรือควันหนาทึบ ด้วยเหตุนี้ เซ็นเซอร์เหล่านี้จึงกลายเป็นส่วนประกอบสำคัญของเทคโนโลยีอัจฉริยะในอนาคต เช่น รถยนต์ขับเคลื่อนอัตโนมัติ หุ่นยนต์ ระบบเฝ้าระวังในเวลากลางคืน และการถ่ายภาพทางการแพทย์ เป็นต้น
อย่างไรก็ตาม เซ็นเซอร์แบบดั้งเดิมมักผลิตจากวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีราคาแพง เช่น อินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ (InGaAs) ส่งผลให้ต้นทุนการผลิตสูงมาก และมีข้อจำกัดร้ายแรงในการขยายขนาดไปยังอุปกรณ์พื้นที่ขนาดใหญ่
ตามรายงานของสื่อต่างประเทศ ทีมวิจัยร่วมจากเกาหลีใต้ได้เสนอสถาปัตยกรรมเซ็นเซอร์โฟโตอิเล็กทริกแบบไฮบริด ซึ่งผสานจุดควอนตัมซิลเวอร์เทลลูไรด์ (Ag₂Te) ที่มีความสามารถในการดูดซับแสงสูง เข้ากับเซมิคอนดักเตอร์สองมิติโมลิบดีนัมไดซัลไฟด์ (MoS₂) ที่ขึ้นชื่อเรื่องประสิทธิภาพการถ่ายเทประจุไฟฟ้าที่รวดเร็วเป็นพิเศษ เซมิคอนดักเตอร์สองมิตินี้ช่วยชดเชยข้อบกพร่องของการถ่ายเทประจุไฟฟ้าที่ช้าตามธรรมชาติของจุดควอนตัม ทำให้สามารถใช้ประโยชน์จากจุดเด่นของวัสดุแต่ละชนิดได้อย่างเต็มที่ และนำเสนอโซลูชันทางเทคโนโลยีใหม่สำหรับวงการเซ็นเซอร์อินฟราเรด
